光电子薄膜分为：导电薄膜(金属导电膜、透明导电ITO薄膜)；光电导薄膜(CdS与CdSe薄膜、α-Si:H薄膜)；电致发光薄膜(ZnS:Mn薄膜、有机电致发光薄膜)；电致变色薄膜(WO3薄膜)；液晶薄膜。

导电薄膜在光电子薄膜器件以及集成电路中的应用十分广泛，它是主要的电极薄膜、导线薄膜。一般对电极薄膜的要求是：

1、导电性好，方电阻小；2、与基片或前层薄膜的附着力好；

2、与基片或前层薄膜的附着力好；

3、接触电阻小；

4、容易进行微细加工；

5、具有良好的焊接性能；

6、稳定性好.

金属导电薄膜：

特点：良好的导电性能，反射率高

材料：金、铝、银

金：蕞理想的导电特性，可见区吸收大，远红外高反射，基板的附着性较差；银：可见区具有很高的反射率，导电性好，与基板的附着力较差：

铝：可见区有较高的反射率，导电性良好，与基板的附着性较好.

透明导电薄膜(ITO)：

透明导电薄膜因同时具有可见光谱范围内透明和良好的导电性而广泛地应用于各个领域：窗口的透明隔热薄膜、透明电极等.

近年来各种氧化物半导体薄膜受到重视，其中蕞具有代表性的是In2O3·SnO2薄膜，简称ITO薄膜(Indium tin oxide)。

In2O3和SnO2属于氧化物半导体，具有类似于半导体的性质，在In2O3中掺入少量的SnO2，可使电导性能得到改善。

ITO薄膜的特性：

1、ITO薄膜中的SnO2含量一般为8-9%;

2、ITO薄膜的电阻率随膜厚增加而减小；

3、In2o3的禁带为4eV,吸收边在310m附近，掺杂后吸收边长移，般但紫外区；4、透明区，光子的能量不足以使价电子子激发，杂质、载流子吸收和散射损耗；5、ITO薄膜的制备：溅射法、CVD法、反应蒸发法：

电子束：200℃-300℃、2-3nm/min、充氧1.3*10-Pa、100-200nm6、影响电阻率和透射率：基板温度、蒸发速率、膜厚、老化。